基于SOI材料的集成可调谐光衰减器的研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 韩晓峰 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2004 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 吴亚明 |
| 关键词 | 可调谐光衰减器 SOI PIN结 双脊波导 |
| 学位专业 | 微电子与固体电子学 |
| 中文摘要 | 可调谐光衰减器是光网络中最基本的光器件之一，本文提出了一种新型基于SOI材料的电注入的集成可调谐光衰减器，介绍了可调谐光衰减器的设计原理和器件结构，提出了器件的近似分析模型，分析和优化了影响器件衰减特性的结构和工艺参数，分析了器件的注入载流子分布、插入损耗和响应时间，介绍了器件的制作工艺，最后给出器件的测试结果。具体内容包括： 介绍了硅(SOI)材料的性质，分析了基于SOI材料实现可调谐光衰减器的技术方案的选择。直波导结构的可调谐光衰减器具有结构简单、插入损耗小、工艺容差大、有利于降低成本和提高成品率等优 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82616]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩晓峰 . 基于SOI材料的集成可调谐光衰减器的研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2004. |
入库方式： OAI收割
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