ZnMgO纳米薄膜在MOSFET和透明TFT中的应用
文献类型：学位论文
| 作者 | 梁军 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2006 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 吴惠桢 |
| 关键词 | ZnMgO 高κ材料 宽禁带半导体 MOSFET 薄膜晶体管 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 日益增长的信息技术对超高集成度、高速、低功耗集成电路的需求，驱使晶体管的尺寸越来越小，随之而来的问题是作为MOS栅氧化物和DRAM电容介质的SiO_2迅速减薄至物理极限。另一方面，新材料的应用推动薄膜晶体管(TFT)平板显示技术迅猛发展。由此，我们对纳米ZnMgO薄膜在MOS晶体管和透明TFT的应用进行了多方面的探索研究，取得如下创新性结果： 1) ZnMgO纳米薄膜的生长与材料结构采用物理蒸发低温沉积系统(PELD)在不同衬底上，包括玻璃，石英和硅，制备了不同晶相的ZnMgO薄膜。因为生长温度低，生长的 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82620]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁军 . ZnMgO纳米薄膜在MOSFET和透明TFT中的应用[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2006. |
入库方式： OAI收割
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