中国科学院机构知识库网格系统: SOI关键参数的光学表征技术—

文献类型：学位论文


作者	李林
学位类别	硕士
答辩日期	2001
授予单位	中国科学院上海冶金研究所
授予地点	北京
导师	俞跃辉
关键词	绝缘体上硅红外反射技术注氧隔离SOI 智能剥离SOI
学位专业	材料物理与化学
中文摘要	绝缘衬底上的硅（Silicon-On-Insulator，简称SOI）在近年以来受到了人们的广泛关注。在未来，基于SOI的器件所具有的优异性能，它不但将会广泛应用于如笔记本电脑、移动电话等便携式系统；而且将在石油、化工、汽车等领域大放异彩。更进一步，SOI还有望向光电集成电路，纳米尺度的快速闪存器件，乃至单电子晶体管等等一系列面向未来的半导体技术发展，具有极其光明的应用前景。SOI材料的研制，也是中国科学院“知识创新”的重要课题。在本文中，利用SIMOX技术成功地制造了SOI材料，使用卢瑟福背
公开日期	2012-03-06
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82631]
专题	上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文
推荐引用方式 GB/T 7714	李林 . SOI关键参数的光学表征技术——理论研究及工程实用化[D]. 北京. 中国科学院上海冶金研究所 . 2001.

入库方式： OAI收割

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