基介孔和宏孔电化学刻蚀基础理论及应用研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 包晓清 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2008 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 焦继伟 |
| 关键词 | 微电子机械系统（MEMS） 硅的电化学 介/宏孔 SCR（空间电荷区）模型 赫尔姆兹层 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 电化学刻蚀（ECE）是对半导体（包括硅）进行微加工的重要手段。由于该技术成本低并能完成深反应离子刻蚀（DRIE）难以实现的高深宽比结构的加工，该技术已在介观粒子的布朗棘轮、微纳米铸造模板、生物医学、微流体、发光材料、光子晶体、低通滤波器、MEMS及其三维集成的穿孔互连等方面获得了不同程度的应用，电化学刻蚀技术日益受到一些发达国家研究团体的重视。然而，尽管研究人员在硅与其他半导体的电化学领域探索了近半个世纪，人们对半导体电化学这一科学的认知仍然比较有限，潜在地制约着电化学相关刻蚀技术的发展。由于硅的电化学对 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82637]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 包晓清. 基介孔和宏孔电化学刻蚀基础理论及应用研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2008. |
入库方式： OAI收割
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