宽禁带半导体材料—AIN薄膜的离子束合成与表征
文献类型：学位论文
| 作者 | 程莉莉 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2000 |
| 授予单位 | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 导师 | 俞跃辉 |
| 关键词 | AIN薄膜:5579 合成与表征:4661 反应离子束:4194 宽禁带:3961 体材料:3032 半导:1320 直流磁控:1179 电子场发射:800 发射性能:761 薄膜晶体:554 |
| 学位专业 | 材料物理与化学 |
| 中文摘要 | 氮化铝（AlN）是近年来广受人们重视的宽禁带半导体材料。它具有许多特 殊的物理性能，因此，在许多方面已得到广泛应用或具有潜在的应用前景。AlN 的主要优异性能如下： 氮化铝（AlN）是一种宽禁带的半导体材料，AlN晶体是一种透明、硬度高 且化学稳定性好的化合物。在 300K时，直接带隙为628eV。其熔点超过2275K， 具有许多有价值的物理性能，如：高热导率（32W/cmK~3）、高电阻率、高表面 声波速度（V_R=6～62Km／s，V_L=11～12Km/s）和电机耦合系数（～1%）以及负 电子亲和势 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82639]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程莉莉 . 宽禁带半导体材料—AIN薄膜的离子束合成与表征[D]. 中国科学院上海冶金研究所 . 2000. |
入库方式： OAI收割
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