AlGaN/GaN异质结二维电子气输运性质
文献类型：学位论文
| 作者 | 姚微 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2000 |
| 授予单位 | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 导师 | 曹俊诚 |
| 关键词 | 二维电子气:6969 输运性质:5404 异质结界面:4355 异质结构:885 非线性输运:820 MC方法:653 光电探测器:636 蓝光发光二极管:610 紫外光区:580 理论工作:499 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 近年来，Ⅲ－V族氮化物宽禁带材料由于其在光电器件方面的应用而受到 了国际学术界的广泛重视，已成为材料学科和微结构器件领域的研究热点之一。 其中 GaN是这个家族中最令人感兴趣的材料。它在室温下具有 3 39eV的宽直接 带隙，这一适宜的禁带宽度和直接型能带结构，使得它十分适合于发展可见光 区短波段光电器件，例如蓝光发光二极管和光电探测器等。又由于CaN具有高 的击穿电压（～200V）和高的饱和漂移速度（～27 ×10~7cm/s），使其可用 于制备高功率器件和高频器件，如 Al_xGa_(1-x)N/Ga |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82649]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 姚微 . AlGaN/GaN异质结二维电子气输运性质[D]. 中国科学院上海冶金研究所 . 2000. |
入库方式： OAI收割
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