基于MEMS技术制作的硅纳米线及其性质研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 刘文平 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2006 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 王跃林 ; 李铁 |
| 关键词 | 纳米制造技术 硅纳米线 微电子机械系统 表面态 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 硅纳米线由于特殊的物理性质和潜在的应用前景而越来越受到人们的重视。其较高的比表面积非常适合制作各种传感器，其特殊的机械特性也引发了人们制作纳米谐振器的兴趣。 为实现纳米线的成熟应用首先要解决纳米线的低成本批量制作问题。目前制作硅纳米线的方法中，“自上而下”方法具有高成本和低产率等缺点；“自下而上”则存在定位困难，不便集成等缺点。 本文在MEMS工艺基础上，通过对材料本质的深层认识和简单MEMS工艺的巧妙运用，设计了一种基于各向异性腐蚀和牺牲层工艺的制作流程，在SOI材料上成功地制作出宽度和厚度都在几十纳米 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82653]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘文平 . 基于MEMS技术制作的硅纳米线及其性质研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2006. |
入库方式： OAI收割
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