太拉赫兹场及强磁场作用下半导体超晶格系统中的输运性质
文献类型：学位论文
| 作者 | 闫福强 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2001 |
| 授予单位 | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 导师 | 雷啸霖 |
| 关键词 | 半导体超晶格:6625 太拉赫兹:5461 输运性质:3940 场作用:2669 高频辐射:1092 强磁:1015 平衡方程理论:655 纵向磁场:613 多光子过程:546 非线性输运:546 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 在强磁场作用下，半导体系统中的电子能量将发生朗道量子化，引起许多重要的磁现象，如 SdH振荡、磁声共振、整数和分数量子霍耳效应等。研究磁输运现象常用的玻耳兹曼方程和久保理 论都局限于线性输运，而近十几年发展起来的雷-丁平衡方程理论则突破了这一局限，成为输运研 究中非常有效的方法。论文中简单介绍了磁场作用下的平衡方程方法。 在低维电子系统中，传导电子被禁锢在纳米尺度的区域，其子带能量、动量、费米能量等都在 meV量级，而且其动量和能量弛豫时间也在THz辐射周期所在的尺度范围内，因此，太拉赫兹辐 射场会强烈地 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82659]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 闫福强 . 太拉赫兹场及强磁场作用下半导体超晶格系统中的输运性质[D]. 中国科学院上海冶金研究所 . 2001. |
入库方式： OAI收割
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