低温Au-Si键合及压力开关研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 荆二荣 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2010 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 熊斌 |
| 关键词 | 键合 Au-Si键合 键合强度 微结构分析 红外显微镜 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 键合可以将表面硅加工和体硅加工有机地结合在一起，已成为MEMS 器 件开发和实用化的关键技术之一。与其它键合方法相比，低温键合可以防止 高温退火引起的掺杂源扩散、金属引线性能退化、热应力和缺陷等问题。本 论文主要研究了三种低温Au-Si 键合结构， 即Si/SiO2/Ti/Au-Si 、 Si/SiO2/Ti/Au-Au /Ti/Si 和Si/SiO2/Ti/Au-Au/Ti/a-Si/SiO2/Si 键合结构，并对每种 键合结构的键合强度、键合机理、键合界面的红外照片进行了研究。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82671]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 荆二荣. 低温Au-Si键合及压力开关研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2010. |
入库方式： OAI收割
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