CMOS/SOI与铁电存储器（FeRAM）的工艺研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 范秀强 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2001 |
| 授予单位 | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 导师 | 林成鲁 |
| 关键词 | SOI CMOS／SOI 抗辐照 D／A A／D FeRAM 1C/1T |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | SOI电路具有高速、低压、低功耗、抗辐照、耐高温等优点，由于SOI材料 的成本较高，原来它的应用主要局限在军工、航空航天等领域来制作耐高温和抗 辐照电路。随着SOI衬底制备技术的发展，SOI国片成本不断降低，使得SOI进 入民用成为可能。随着移动通信、笔记本电脑等便携式电子产品发展，SOI将成 为实现低压、低功耗的主流技术。由于SOI技术也是国防微电子的核心技术之一， 长期以来，西方国家一直在材料等相关技术方面对我国实施限制与禁运。按照中 国科学院知识创新工程项目《SOI材料与器件》的要求，本论文详细研究 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82683]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 范秀强 . CMOS/SOI与铁电存储器（FeRAM）的工艺研究[D]. 中国科学院上海冶金研究所 . 2001. |
入库方式： OAI收割
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