多孔硅技术及在MEMS封装中的应用
文献类型：学位论文
| 作者 | 张圣 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2010 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 焦继伟 |
| 关键词 | 多孔硅 MEMS封装 边缘效应 机械应力 谐振器 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 多孔硅以其大比表面积、高深宽比及简单的制备工艺等特性在生物、化学、能源以及半导体等领域得到了一定的应用。特别是近年来，多孔硅开始被作为敏感层、牺牲层、绝热层在MEMS中使用，但是电化学腐蚀中边缘效应的存在严重影响了多孔硅技术应用的进一步发展。本文探索了抑制边缘效应方法，制备了多种宏孔多孔硅阵列，并将多孔硅技术应用于MEMS真空封装中。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82687]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张圣. 多孔硅技术及在MEMS封装中的应用[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2010. |
入库方式： OAI收割
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