多孔硅外延层转移SOI新材料制备与改性多孔硅发光性能的研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 刘卫丽 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2002 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 林成鲁 ; 朱剑豪 |
| 关键词 | 绝缘体上的硅 多孔硅 外延 硅基发光 |
| 学位专业 | 微电子与固体电子学 |
| 中文摘要 | SOI技术和多孔硅纳米发光技术研究是当今微电子与光电子研究领域的前沿课题，本文根据科学院创新工程研究工作的需要，开展了多孔硅外延层转移ELTRAN-SOI新材料制备与改性多孔硅发光性能的研究，获得的主要结果如下： 系统研究了硅片掺杂浓度、掺杂类型和阳极氧化条件等因素对多孔硅结构、单晶性能和表面状态的影响，发现多孔硅与衬底并不是严格的四方畸变，在多孔硅/硅衬底的界面上，多孔硅的晶格与衬底完全一致，但在孔的边缘，多孔硅的晶格发生弛豫。研究结果为多孔硅衬底上材料的生长和光学性能的研究提供了良好的实验依据。 首次 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82698]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘卫丽 . 多孔硅外延层转移SOI新材料制备与改性多孔硅发光性能的研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2002. |
入库方式： OAI收割
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