高介电常数材料的制备及电学性能研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 邢溯 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2002 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 林成鲁 ; 宋志棠 |
| 关键词 | 高介电常数材料 栅介质 DRAM电容介质 FeRAM |
| 学位专业 | 微电子与固体电子学 |
| 中文摘要 | 日益增长的信息技术对更高集成度、高速、低功耗集成电路的需求，驱使晶体管的尺寸越来越小，随之而来的问题是作为MOS栅氧化物和DRAM电容介质的SiO_2迅速减薄，直逼其物理极限。另一方面，随着移动型电子消费类产品在当今社会大范围的普及应用，非挥发性存储介质在移动存储领域越来越显示出其优越性。因此，高介电常数材料与铁电存储介质的研究是当今国际上信息功能材料与微电子领域的前沿研究课题。 本文对应用于DRAM电容介质的钛酸锶钡(BST)系高介电常数材料的制备进行了研究。采用封闭式回流系统和廉价的Ba和Sr的醋酸盐 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82709]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邢溯 . 高介电常数材料的制备及电学性能研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2002. |
入库方式： OAI收割
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