一种新颖的纳米沟道制造技术研究及其应用
文献类型：学位论文
| 作者 | 史明甫 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2007 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 焦继伟 |
| 关键词 | MEMS双纳米沟道 双阴影效应 角度选择性 微流控芯片 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 微沟道是生物化学、微纳流体行为研究、纳米光学、生物医学等方面研究的重要载体，是微控流芯片(Microfluidic Chip)的核心部分，也是纳米制造工艺研究的主要对象之一。本文以微控流芯片中的微流体流动特性和纳米管道制备技术的研究热点为背景，展开全文的研究。 针对目前主流微纳工艺的高成本和低可控性的不足，本文从MEMS选择性工艺出发，重点研究离子束干法刻蚀原理和和双阴影效应，提出了一种新颖的基于离子束角度选择性的纳米制造技术。根据离子束双阴影效应，即离子束的角度选择性，本文建立了自对准的双纳米沟道的离子 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82732]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 史明甫 . 一种新颖的纳米沟道制造技术研究及其应用[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2007. |
入库方式： OAI收割
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