掺Er：Al_2O_3和掺Er：nc-Si/SiO_2材料的制备与表征
文献类型：学位论文
| 作者 | 肖海波 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2004 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 邹世昌 ; 张峰 |
| 关键词 | 掺饵波导放大器 光致发光 Al_2O_3光波导材料 纳米硅 富硅氧化硅 |
| 学位专业 | 微电子与固体电子学 |
| 中文摘要 | 随着全光网络和光子集成技术的发展，掺铒光波导放大器(EDWA：Er Doped Waveguide Amplifier)作为较新的研究领域，正在受到越来越多科研工作者的重视。本论文采用离子束辅助沉积和离子注入法开展了掺Er：Al_2O_3薄膜和掺Er：nc-Si／SiO_2材料的研究。 实验采用离子束辅助沉积和离子注入法制备了掺铒Al_2O_3薄膜，研究了不同退火温度下，样品的成分、结构、表面形貌和化学价态。随退火温度的升高，Er离子被激活，样品的光致发光强度随退火温度升高而上升。样品在700℃退火下，折 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82743]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 肖海波 . 掺Er：Al_2O_3和掺Er：nc-Si/SiO_2材料的制备与表征[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2004. |
入库方式： OAI收割
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