新型硅基薄膜材料转移技术的研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 詹达 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2007 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 刘卫丽 ; 宋志棠 |
| 关键词 | 绝缘层上的硅(SOI) 绝缘层上的锗(GOI) 担酸锂(LiTaO_3) 智能剥离(Smart-cut) 共晶键合 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 传统的体硅芯片的特征尺寸缩小到了几十个纳米级，已受到传统体硅工艺制程以及硅材料本身电学性质的限制，以体硅为基础的半导体技术的发展将面临严峻的挑战。而新的硅基半导体薄膜技术，包括绝缘层上的硅、绝缘层上的锗、锗硅、应变硅等，有独特的优势，能突破体硅材料与硅集成电路限制。 本论文正是基于上述背景，在973计划、国家自然科学基金的支持下，主要研究了硅基新薄膜材料技术，包括以下几个方面内容：(1)结合等离子表面活化技术与Smart-cut技术完成了SOI的低温制备以及表征；(2)对高速半导体材料GOI(绝缘层上锗) |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82757]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 詹达 . 新型硅基薄膜材料转移技术的研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2007. |
入库方式： OAI收割
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