硅四层键合MEMS电容式加速度传感器研究
文献类型:学位论文
作者 | 徐玮鹤 |
学位类别 | 硕士 |
答辩日期 | 2007 |
授予单位 | 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) |
导师 | 车录锋 |
关键词 | 电容式加速度传感器 硅-硅键合 圆片级真空封装 |
学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
中文摘要 | 电容式微加速度传感器具有分辨率高、动态范围大、温度特性好等优点,可以广泛应用在对性能要求较高的领域,如惯性导航、空间微重力测量及石油勘探等。其结构通常可以分为梳齿式和三明治式两种。梳齿结构工艺比较简单,但受DRIE工艺的最大深宽比的限制(约25:1),这种结构较难兼顾厚质量块和小电容间隙,因而检测精度一般偏低。三明治结构的加速度传感器虽然在工艺方面比较复杂,但容易实现高的检测精度。 首先,对三明治结构加速度传感器进行了整体设计。传感器为四层硅结构,上下两层为固定电极层,中间两层为硅—硅键合的双面梁—质量块 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-03-06 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82759] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐玮鹤 . 硅四层键合MEMS电容式加速度传感器研究[D]. 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) . 2007. |
入库方式: OAI收割
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