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硅四层键合MEMS电容式加速度传感器研究

文献类型:学位论文

作者徐玮鹤  
学位类别硕士
答辩日期2007
授予单位中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所)  
导师车录锋  
关键词电容式加速度传感器 硅-硅键合 圆片级真空封装  
学位专业微电子学与固体电子学  
中文摘要电容式微加速度传感器具有分辨率高、动态范围大、温度特性好等优点,可以广泛应用在对性能要求较高的领域,如惯性导航、空间微重力测量及石油勘探等。其结构通常可以分为梳齿式和三明治式两种。梳齿结构工艺比较简单,但受DRIE工艺的最大深宽比的限制(约25:1),这种结构较难兼顾厚质量块和小电容间隙,因而检测精度一般偏低。三明治结构的加速度传感器虽然在工艺方面比较复杂,但容易实现高的检测精度。 首先,对三明治结构加速度传感器进行了整体设计。传感器为四层硅结构,上下两层为固定电极层,中间两层为硅—硅键合的双面梁—质量块
语种中文
公开日期2012-03-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82759]  
专题上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文
推荐引用方式
GB/T 7714
徐玮鹤  . 硅四层键合MEMS电容式加速度传感器研究[D]. 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所)  . 2007.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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