GaInAsSb红外探测器的器件与物理研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 李志怀 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2003 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 夏冠群 |
| 关键词 | GaInAsSb 红外探测器 欧姆接触 合金化 探测率 硫钝化 增透膜 放大器 |
| 学位专业 | 微电子与固体电子学 |
| 中文摘要 | Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物GaInAsSb材料，随着材料组分变化，它的带隙在1.42～0.1 eV的范围内变化，覆盖了1～3微米、3～5微米、8～14微米三个重要红外波段。与GaSb衬底晶格匹配的GaInAsSb的禁带宽度可以覆盖从1.7μm至4.3μm的波段，这种材料在红外成像、污染监测、工业控制等方面有重要的实用价值，同时在未来的超低损耗光纤通信中又具有潜在应用。GaInAsSb红外探测器是一种新型化合物半导体材料红外探测器，具有响应速度快、灵敏度高、稳定性好、成本低、易于集成、器件性能均匀性好等优点，特别 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82775]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李志怀 . GaInAsSb红外探测器的器件与物理研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2003. |
入库方式： OAI收割
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