相变材料研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 徐嘉庆 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2007 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 宋志棠 |
| 关键词 | 相变存储器 相变材料 拉曼光谱 掺杂 开关 行为模型 分层 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 相变存储器是一种低压、低功耗、高速、高集成度的新型非易失存储器，发展前景广阔，是学术界和工业界研究开发的热点。 相变材料是相变存储器的核心功能材料，其广泛的应用前景和诸方面的微妙性质引发了各国学者的研究兴趣。本文围绕相变材料这一前沿课题，在国家高科技发展计划(863)支持下，选取研发应用广泛的Ge_2Sb_2Te_5和Sb_2Te_3作为研究对象开展了一系列研究工作。 本文的工作分为基础和应用两个方面。基础方面，在简要论述了相变材料晶态和非晶态以及相转化的热力学本质之后，采用射频磁控溅射方法在高阻Si／S |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82790]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐嘉庆 . 相变材料研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2007. |
入库方式： OAI收割
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