纳米硅在SIMOX材料抗辐照加固中的应用研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 钱聪 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2007 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 张峰 ; 张正选 |
| 关键词 | SIMOX 硅离子注入 纳米硅 总剂量辐照效应 Pseudo-MOS |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | SOI材料以及SOI器件及有良好的抗单粒子效应和瞬间辐射的能力，但绝缘埋层的存在使得其抗总剂量能力受到限制。在埋层中注入硅离子被认为是一种有效的材料加固方法，这与注入产生的纳米晶硅电子陷阱有关。本文主要研究了离子注入形成的纳米硅在SIMOX材料抗辐照加固中的应用，主要包括两部分内容，一是在SIMOX材料中注入了一定剂量和能量的硅离子并退火，并用MOS器件(包括各种不同的栅结构)和pseudo-MOS两种方法研究了其总剂量辐照效应，并用MEDICI模拟了辐照偏置依赖关系。二是注入硅离子的热氧化物的物理研究， |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82816]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 钱聪 . 纳米硅在SIMOX材料抗辐照加固中的应用研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2007. |
入库方式： OAI收割
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