相变存储器芯片电路设计与实现
文献类型：学位论文
| 作者 | 沈菊 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2008 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 宋志棠 |
| 关键词 | 相变存储器芯片 写驱动 基准电压 偏置电流 CMOS |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 相变存储器是一种新型的非易失性半导体存储器,具有高速、高集成度、低压、低功耗、与CMOS工艺兼容等优点,被国际半导体工业协会认为是最有可能取代SRAM、DRAM和FLASH等当今主流产品而成为未来存储器主流和最先成为商用产品的下一代半导体存储器件。 本文围绕相变存储器芯片电路设计这一方向,对芯片电路的设计与实现,开展了一系列的研究。 相变存储器芯片的整体框架主要包括:存储阵列,译码电路,逻辑控制电路,写驱动电路和读出放大电路五部分。本文的重点为设计对相变单元实现相变操作至关重要的写驱动电路:首先设计了驱动 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82826]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 沈菊 . 相变存储器芯片电路设计与实现[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2008. |
入库方式： OAI收割
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