硅基微结构上的GaN外延生长研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 王曦 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2008 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 王曦 |
| 关键词 | 硅基微结构 GaN 热应力 SOI 柔性衬底 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | GaN材料是一种宽禁带半导体材料,直接带隙为3.4eV,被广泛应用于光电子器件、高功率器件以及高频电子器件中。由于难以制备GaN材料的体单晶,因此GaN薄膜材料主要通过异质外延生长获得。使用硅材料作为GaN异质外延的衬底不仅成本低,而且可能实现GaN基器件与硅基器件的集成,达到光电子学和微电子学的有机结合。然而GaN和硅之间的晶格失配和热失配会导致GaN外延薄膜上产生很高的位错密度(10~(9-10)cm~(-2)左右)和巨大的热应力(0.8GPa左右),并出现裂纹,严重制约了其应用。为了降低硅基GaN外 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82836]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王曦 . 硅基微结构上的GaN外延生长研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2008. |
入库方式： OAI收割
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