CMOS兼容的干法刻蚀释放热电堆红外探测器
文献类型：学位论文
| 作者 | 杨恒昭 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2008 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 熊斌 |
| 关键词 | 热电堆探测器 XeF_2气体 低应力Si_3N_4 N-MOSFET 单片集成 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 作为传统的红外探测器,非制冷型的热电堆探测器由于其结构简单、尺寸较小、成本较低等特点而被广泛应用。采用微机械手段加工的MEMS热电堆探测器可以充分利用CMOS工艺实现与信号处理电路的单片集成,从而进一步提高性能降低成本。本文试图以热电堆红外探测器为例研究MEMS器件与CMOS电路的兼容性问题。 针对传统微机械热电堆器件使用背面腐蚀或者正面各项异性湿法腐蚀释放结构方面的问题,本文提出了一种采用XeF_2气体各项同性干法刻蚀单晶硅释放工艺的热电堆结构,并讨论了不同形状的刻蚀开口对释放结构的影响。 采用正交矩阵 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82861]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨恒昭 . CMOS兼容的干法刻蚀释放热电堆红外探测器[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2008. |
入库方式： OAI收割
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