InGaP/GaAs微波HBT器件及VCO电路的研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 林玲 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2007 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 齐鸣 ; 孙晓玮 |
| 关键词 | 异质结双极晶体管(HBT) InGaP/GaAS 压控振荡器(VCO) |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | InGaP／GaAs异质结双极晶体管(HBT)具有优良的频率和功率特性，并具有相对成熟的材料生长技术和器件制备工艺，因此在无线通信、光纤通信和军用电子系统等领域获得了广泛应用。 本文在总结概括目前国内外关于HBT的研究成果的基础上，结合实际的外延材料生长和器件制备工艺条件，进行了InGaP／GaAs HBT的器件设计和制备工艺研究，并开展了HBT压控振荡器(VCO)电路的设计仿真。本文的主要内容包括： 从HBT的基本工作原理出发，分析了HBT器件纵向结构中各外延层的设计特点，用二维器件模拟软件MEDICI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82868]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林玲 . InGaP/GaAs微波HBT器件及VCO电路的研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2007. |
入库方式： OAI收割
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