干法刻蚀和离子注入影响Ⅲ-Ⅴ族半导体量子阱发光特性研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 曹萌 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2007 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 吴惠桢 |
| 关键词 | 干法刻蚀 离子注入 光致发光 气态源分子束外延 量子阱 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 干法刻蚀和离子注入是半导体光电器件制作过程中广泛使用的基本工艺过程。虽然干法刻蚀和离子注入工艺都有各自的优点，但他们也都可能给半导体材料及器件带来电学和光学上的损伤。如何在完成器件工艺的同时避免或最大限度地减小材料及器件的损伤是值得研究的重要科学问题。本论文围绕干法刻蚀和离子注入可能给Ⅲ-Ⅴ族半导体量子阱材料发光特性产生的影响进行了系统研究，并取得如下结果： 1．理论计算了较低能量(小于1 KeV)下干法刻蚀过程中缺陷产生速率、缺陷在材料刻蚀表面及侧面的分布、缺陷在刻蚀材料内部带来的损伤深度、外延层电导等 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82876]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹萌 . 干法刻蚀和离子注入影响Ⅲ-Ⅴ族半导体量子阱发光特性研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2007. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。