半导体二维电子气太赫兹光吸收特性研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 于莉媛 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2007 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 曹俊诚 |
| 关键词 | 太赫兹 光吸收 子带间跃迁 声子模式 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 低维半导体大部分特征能量处于太赫兹波段，因此太赫兹场与低维半导体有很强的相互作用。低维半导体中太赫兹光吸收谱的研究是目前太赫兹光电子研究领域的热点之一。本学位论文利用微扰理论和密度矩阵等方法研究了量子阱带内和带间的光吸收特性。主要研究内容和结论包括： 1、考虑载流子与不同光学声子的散射机制，利用微扰理论计算了磁场作用下量子阱自由载流子太赫兹波段的光吸收系数。研究了量子阱阱宽和电子温度对光吸收系数的影响。计算结果表明，体声子模式、受限声子模式和界面声子模式与载流子耦合对光吸收的贡献较大，而半空间声子模式对光 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82883]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 于莉媛 . 半导体二维电子气太赫兹光吸收特性研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2007. |
入库方式： OAI收割
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