GSMBE生长的InAs量子点材料与器件研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 何焜 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2008 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 龚谦 |
| 关键词 | GSMBE InAs量子点 光致发光谱 量子点激光器 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 半导体量子点具有类似于单个原子的不连续能级结构,使得它对于基础物理研究和新型电子及光电器件研究都有很重要的意义,量子点材料生长与器件应用研究一直是国际上研究的热点之一。分子束外延技术的发明和成熟,使得人们可以更方便更高效地通过S-K模式自组织生长量子点结构。但是由于S-K模式本身的特性,量子点的生长控制较为困难。本文采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长了高质量的InAs/GaAs量子点样品,通过原子力显微镜(AFM)、低温光致发光(PL)等手段分别研究了InAs生长温度、InAs淀积厚度、GaAs覆 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82886]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 何焜 . GSMBE生长的InAs量子点材料与器件研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2008. |
入库方式： OAI收割
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