零维Ge和一维ZnO纳米结构与器件
文献类型：学位论文
| 作者 | 万青 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2004 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 林成鲁 ; 王太宏 |
| 关键词 | 零维Ge纳米结构 高K栅介质 三次光学非线性 电子存储 纳米浮栅存储器 负光电导 一维ZnO纳米结构 光致发光 光敏感 电子场发射 气敏传感器 氢存储 光催化降解 |
| 学位专业 | 微电子与固体电子学 |
| 中文摘要 | 当材料至少有一个维度在1—100纳米之间时，我们称之为纳米结构。纳米结构和相应的体材料相比，具有许多独特的性能和诱人的应用前景，引起了各国研究人员极大的关注。本论文采用电子束蒸发和热蒸发等技术分别制备了零维Ge和一维ZnO纳米结构，进而对所制备的零维和一维半导体纳米结构的应用进行了多方面的探索研究，取得了如下创新性结果： 1)采用电子束共蒸发技术制备了埋嵌于高K介质Al_2O_3中的非晶Ge纳米团簇。由于量子限域效应，在该复合纳米结构中观察到了高达1.5eV光学吸收边蓝移。Z-扫描测试结果表明该复合纳米结 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82926]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 万青 . 零维Ge和一维ZnO纳米结构与器件[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2004. |
入库方式： OAI收割
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