中红外波段锑化物激光器、探测器器件与物理研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 张雄 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2004 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 齐鸣 ; 李爱珍 |
| 关键词 | 分子束外延 锑化物 中红外 激光器 探测器 硫钝化 |
| 学位专业 | 微电子与固体电子学 |
| 中文摘要 | 本学位论文针对中红外波段AlGaAsSb／InGaAsSb多量子阱激光器和InGaAsSb PIN探测器的特点和存在的问题，对激光器和探测器的器件物理、器件工艺、器件性能表征进行了深入系统的研究，取得了如下结果： 采用6带尼k·p模型计算了2μm InGaAsSb／AlGaAsSb应变多量子阱的能带结构，分析了应变量子阱的价带色散关系，在此基础上计算了多量子阱激光器的增益谱，系统研究了应变、阱宽对增益谱的影响，得出提高应变或减小阱宽能提高激光器增益的结论，并对此给出了物理解释。结合材料生长条件，对激光器的 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82932]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张雄 . 中红外波段锑化物激光器、探测器器件与物理研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2004. |
入库方式： OAI收割
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