中红外波段锑化物激光器、探测器器件与物理研究
文献类型:学位论文
作者 | 张雄 |
学位类别 | 博士 |
答辩日期 | 2004 |
授予单位 | 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) |
导师 | 齐鸣 ; 李爱珍 |
关键词 | 分子束外延 锑化物 中红外 激光器 探测器 硫钝化 |
学位专业 | 微电子与固体电子学 |
中文摘要 | 本学位论文针对中红外波段AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器和InGaAsSb PIN探测器的特点和存在的问题,对激光器和探测器的器件物理、器件工艺、器件性能表征进行了深入系统的研究,取得了如下结果: 采用6带尼k·p模型计算了2μm InGaAsSb/AlGaAsSb应变多量子阱的能带结构,分析了应变量子阱的价带色散关系,在此基础上计算了多量子阱激光器的增益谱,系统研究了应变、阱宽对增益谱的影响,得出提高应变或减小阱宽能提高激光器增益的结论,并对此给出了物理解释。结合材料生长条件,对激光器的 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-03-06 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82932] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张雄 . 中红外波段锑化物激光器、探测器器件与物理研究[D]. 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) . 2004. |
入库方式: OAI收割
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