图形化SOI技术研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 董业民 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2004 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 王曦 |
| 关键词 | 图形化SOI SIMOX DSOl器件 自热效应 浮体效应 纳米通道 |
| 学位专业 | 材料物理与化学 |
| 中文摘要 | 近年来，SOI技术已经发展成为制造ULSI集成电路的主流技术之一。但是，SOI器件存在着浮体效应和自热效应。另外，为了获得功能更强大、价格更低廉的芯片，在SOI衬底上集成多种功能(如逻辑电路、存储器等)形成系统芯片(SOC)也是当今集成电路领域的研究热点之一。然而，有一些电路(如RF电路、成像电路和DRAM等)在SOI衬底上的制造工艺并不成熟。这限制了高性能SOC芯片在SOI衬底上的实现。 图形化SOI技术可以有效地解决上述问题。其实，克服SOI器件浮体效应和自热效应的一个最简单、经济的方法就是去掉器件沟 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82946]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 董业民 . 图形化SOI技术研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2004. |
入库方式： OAI收割
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