硅集成电感及CMOS射频集成电路研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 刘畅 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2002 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 陈学良 |
| 关键词 | 硅集成电感 Q值 平面螺旋型集成电感 螺线管型集成电感 CMOS射频集成电路 CMOS分布放大器 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 快速增长的无线通信市场的巨大需求也造成了对射频集成电路的需求。近年来，随着特征尺寸的不断减小，深亚微米CMOS工艺其MOSFET的特征频率已经达到50GHz以上，使得利用CMOS工艺实现GHz频段的高频模拟电路成为可能。最近几年，世界各国的研究人员在CMOS射频集成电路的设计和制作方面进行了大量的研究，使CMOS射频集成电路的性能不断得到提高。 在无线通信技术对CMOS射频集成电路需求的大背景下，本论文在大量深入调研的基础上，围绕射频集成电路中必不可少的、有多种应用的无源器件—硅集成电感及其相关的CMOS |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82954]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘畅 . 硅集成电感及CMOS射频集成电路研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2002. |
入库方式： OAI收割
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