GaN和AIGaN/GaN的RFP-MBE生长及其特性研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 赵智彪 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2002 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 齐鸣 |
| 关键词 | GaN AIGaN/GaN 射频等离子分子束外延 缓冲层 欧姆接触 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 本文研究了GaN和AlGaN/GaN材料的射频等离子体分子束外延生长及其特性，并对相关器件工艺中的若干重要问题如刻蚀、欧姆接触等，进行了初步探索。在前人工作的基础上，进一步优化了GaN材料的生长工艺，并深入研究了材料生长过程中的一些重要问题。整个论文工作以AlGaN/GaN异质结高温、大功率器件作为应用背景，从射频等离子体分子束外延系统的改造、衬底表面的预处理、缓冲层的结构、外延生长工艺优化，到极性的表征、表面刻蚀、欧姆接触等，开展了多方面的研究和讨论。取得了以下主要结果： 1．在已有基础上对生长室进行了 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82958]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵智彪 . GaN和AIGaN/GaN的RFP-MBE生长及其特性研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2002. |
入库方式： OAI收割
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