霍尔相位传感器组件及相关关键技术研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 胡少坚 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2002 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 夏冠群 |
| 关键词 | 霍尔传感器 霍尔效应 GaAs MESFET |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 霍尔传感器是目前使用最广泛的磁传感器之一。它不仅可以用来测量磁场，还可用于测量电流、速度、位置、角度和转速等物理量，在精密测量、工业自动化控制、汽车电子、家用电器等领域获得广泛应用。本课题是上海汽车工业科技发展基金会支持项目“相位传感器的研究开发”的一部分，着重研究了霍尔传感器组件和霍尔开关集成电路设计制造方面的关键技术。 论文先简要介绍了霍尔效应的基本原理，霍尔元件和霍尔集成电路的发展过程和近况。 论文采用保角变换的方法对霍尔集成电路中常用霍尔元件的几何修正因子和有效宽长比进行分析计算，分别给出灵敏度最 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82960]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡少坚 . 霍尔相位传感器组件及相关关键技术研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2002. |
入库方式： OAI收割
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