GaAs阈值电压均匀性与测试系统的研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 朱朝嵩 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2002 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 夏冠群 |
| 关键词 | GaAs MESFET 阈值电压均匀性 旁栅效应 PL mapping |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | GaAs器件与电路具有速度高、功耗低、噪声小、耐高温、抗辐射等优点，在光纤通信、卫星、超高速计算机、高速测试仪器、移动通信和航空航天等领域中有着重要的应用。由于GaAs是化合物半导体，要获得完美的单晶十分困难，材料质量远远落后于电路的要求，严重制约着电路的发展。随着GaAs集成电路的发展，集成度的提高，对GaAs单晶阈值电压均匀性的要求越来越高。 本文概括了GaAs集成电路的发展，简要介绍了GaAs材料与器件。本文讨论了GaAs MESFET的器件模型，由二区间模型导出了I_(DS)与V_(GS)和V_( |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82967]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱朝嵩 . GaAs阈值电压均匀性与测试系统的研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2002. |
入库方式： OAI收割
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