SOI的电学性能测试以及低功耗SOI DRAM的设计研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 黎传礼 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2002 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 俞跃辉 ; 邹世昌 |
| 关键词 | 电学性能:6794 低功耗:4331 设计研究:4272 SOI材料:3668 SOI技术:1176 体硅电路:797 抗辐照:730 耐高温:534 模拟仿真:511 外围电路:500 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 与传统的体硅电路比较起来，SOI电路具有高速、低压、低功耗、抗辐照、耐高温等优点。但是由于SOI材料的制作成本比较高，所以原来它的应用主要局限在军工，航空航天等领域来制作耐高温和抗辐照电路，随着SOI衬底技术的发展，SOI园片的成本不断降低，使得SOI进入民用成为可能。随着移动通信、手提电脑等便携式电子产品的发展，集成电路在功耗和体积方面的要求越来越高，SOI将成为实现低压、低功耗的主流技术。所以，对于SOI材料，器件，电路测试，模拟仿真，设计，工艺方面的研究就显得非常的重要 本论文的主要工作分为三个部分 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82973]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黎传礼 . SOI的电学性能测试以及低功耗SOI DRAM的设计研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2002. |
入库方式： OAI收割
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