感应耦合等离子体刻蚀InP研究与14xxnm泵浦激光器制作
文献类型：学位论文
| 作者 | 朱海波 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2005 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 李晓良 |
| 关键词 | 半导体激光器 InP 干法刻蚀 感应耦合等离子体 损伤 脊波导 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 用于光纤通信密集波分复用技术中的14xxnm泵浦激光器,是拉曼光纤放大器(Raman amplifier, RA)中的核心部件,有着广阔的应用前景;InP基材料具有发光特性好,电子迁移率高等优点,已被广泛应用于制造光子器件、量子器件和超高速电子器件等领域。本工作重点研究了InP材料的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺,研究了ICP工艺对InP材料的刻蚀损伤,并将此工艺应用到脊波导半导体激光器的管芯制造中,制作了14xxnm脊波导InAsP/InGaAsP多量子阱激光器,取得了如下结果: 采用国产感应耦合等 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82982]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱海波 . 感应耦合等离子体刻蚀InP研究与14xxnm泵浦激光器制作[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2005. |
入库方式： OAI收割
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