SOI材料的光学表征和SOI器件射频性能的研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 李文钧 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2004 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 俞跃辉 |
| 关键词 | SOI Spectroscopic Ellisometry Effective Medium Approximation roughness ta-C AFM PD SOI MOSFET Spiral Inductor |
| 学位专业 | 微电子与固体电子学 |
| 中文摘要 | 被誉为“21世纪的硅集成电路技术”的SOI技术，由于其独特的结构特性而被广泛应用在低压、低功耗、射频、高温、抗辐照集成电路以及光电集成等微电子领域。随着SIMOX商品化生产的发展和深入，其质量控制和材料性能表征问题显得尤为重要。本论文从SIMOX生产实际问题出发，建立了针对氧化埋层上界面粗糙度无损椭偏光谱表征方法。首先建立自然氧化层—表层硅—粗糙度层—氧化埋层—半无限吸收衬底四层光学分层结构，分别用单晶二氧化硅、单晶硅、BEMA近似(Si_(1-x)(SiO_2)_x)、柯西多项式得到各层的折射率和消光系 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82998]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李文钧 . SOI材料的光学表征和SOI器件射频性能的研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2004. |
入库方式： OAI收割
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