980nm半导体泵浦激光器结构设计
文献类型：学位论文
| 作者 | 高少文 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2002 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 陈意桥 ; 封松林 |
| 关键词 | GaInAs/GaInAsP 应变量子阱 半导体激光器 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 980nm 半导体泵浦激光器由于其优越的性能引起了人们广大的兴趣，并逐渐取代了其他的一些掺铒光纤激光放大器(EDFA)的泵浦源。在应用中，这种激光器需要高输出能量，长使用寿命和稳定的光学模式。最近世界范围内对该波长的半导体激光器进行了广泛的研究，取得了许多突破性的进展，但是有几个问题仍需要解决：1)提高激光器的输出功率。现在980nm半导体激光器的输出功率已经达到了10W以上，进一步提高激光器的输出功率会提高激光器腔面损伤(catastrophic optical damage)和高阶光学模式的出项，这些 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83010]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高少文 . 980nm半导体泵浦激光器结构设计[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2002. |
入库方式： OAI收割
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