新型氮氧复合埋层SOI及其抗总剂量辐照研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 刘相华 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2002 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 王曦 |
| 关键词 | SOIM SOI Total-Dose effects Computer Simulation Fractal |
| 学位专业 | 材料物理与化学 |
| 中文摘要 | SOI(Silicon on Insulator)材料作为抗辐照器件材料在国防、宇航等领域得到广泛应用。但由于绝缘埋层的引入，使得材料本身的抗总剂量辐照能力反而不如体硅材料。为了解决这一问题，科学家们已经使用了许多方法来加固SOI器件。 为了解决SOI材料的抗辐照总剂量问题，我们提出使用氮氧共注入形成的多埋层SOIM新结构。 我们采用不同能量氮氧离子分步注入和分步退火工艺成功制备了具有Si/Si-N-O/Si_3N_4/Si结构的新型SOIM材料。解决了单纯注入氮离子所形成的材料上界面不平整的问题。利用X |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83012]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘相华 . 新型氮氧复合埋层SOI及其抗总剂量辐照研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2002. |
入库方式： OAI收割
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