长波长垂直腔面发射激光器器件工艺与光电特性研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 刘成 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2007 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 吴惠桢 |
| 关键词 | 垂直腔面发射激光器 器件工艺 光电特性 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 迅速发展的网络技术和光纤通信技术对新一代光电子器件的需求,驱使长波长(1.3μm和1.55μm)垂直腔面发射激光器(VCSEL)成为了研究的热点。本论文针对长波长垂直腔面发射激光器当前所面临的一些关键技术问题,进行了多方面的探索研究,取得了如下创新性结果; 1)建立了台面腐蚀、表面钝化、电极图形制作、欧姆接触、光学膜等VCSEL器件工艺流程,使用HBr∶HNO_3∶H_2O腐蚀液制作出了较理想的台面单元,另p-InGaAsP与Ti-Au最优比接触电阻值可达6.49×10~(-5)Ω·cm~2。制作了1.3 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83024]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘成 . 长波长垂直腔面发射激光器器件工艺与光电特性研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2007. |
入库方式： OAI收割
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