用于相变随机存储器的无碲SiSb和纳米复合相变材料研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 张挺 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2008 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 宋志棠 |
| 关键词 | 相变存储器 相变材料 纳米复合相变材料 Si-Sb Si-Sb-Te Ge-Sb-Te |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 为了提升相变随机存储器（PCRAM）的性能，开发并系统研究了数种高性能存储材料，并对传统的PCRAM器件结构进行了改进，取得了以下创新成果： 1． 开发出了环境友好无碲SiSb相变材料。SiSb与CMOS工艺完全兼容，其成份简单而便于半导体加工和性能的剪裁，证实了SiSb优良的电学存储特性。材料具备优越的数据保持能力，Si10Sb90和Si16Sb84在110 °C时数据失效时间同比分别为Ge2Sb2Te5的103和106倍；材料具有较小的相变前后的密度变化，例如Si10Sb90的密度变化仅为3%，远小于 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83032]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张挺. 用于相变随机存储器的无碲SiSb和纳米复合相变材料研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2008. |
入库方式： OAI收割
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