基于高电子迁移率晶体管结构的太赫兹探测器
文献类型：学位论文
| 作者 | 王立敏 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2008 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 曹俊诚 |
| 关键词 | 太赫兹探测器 高电子迁移率晶体管 等离子振荡 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 太赫兹(THz)技术是近年来的一个研究热点，可广泛应用于工业、军事以及生物等领域。THz探测器是THz技术应用的关键器件之一。利用深亚微米场效应管中等离子波的激发有可能制造出新的固态THz探测器。本学位论文主要研究了基于高电子迁移率晶体场效应管(HEMT)结构的THz探测器的探测特性。论文的研究结果对于设计基于HEMT结构的THz探测器具有指导意义。本论文的主要研究内容和结果包括： 1. 理论研究了HEMT沟道中的等离子振荡的频率特性，计算了磁场对这一特性的影响。结果表明，HEMT沟道中等离子波振荡能够引 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83036]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王立敏. 基于高电子迁移率晶体管结构的太赫兹探测器[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2008. |
入库方式： OAI收割
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