PD CMOS/SOI抗辐射54HC电路设计及制造
文献类型：学位论文
| 作者 | 贺威 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2008 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 王曦 |
| 关键词 | 绝缘体上硅（SOI） 总剂量辐射效应 器件模型 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 抗辐射CMOS/SOI器件和电路的一直是应用领域的研究焦点，本论文以在注硅加固的抗辐射SIMOX SOI材料上设计制作4款抗辐射的54HC系列电路为目的，开展抗辐照CMOS/SOI器件和电路的研究，并分别建立了CMOS/SOI器件的精简模型和特殊栅结构CMOS/SOI器件模型。本论文中将部分耗尽CMOS/SOI器件的正栅晶体管和寄生双极晶体管简化成等效电路图，提出了一个简化的、同时又具有较高精度的CMOS/SOI器件精简模型，适合电路快速计算机模拟。同时建立完整模型参数提取方法，提取器件模型参数。并对提取 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83045]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 贺威. PD CMOS/SOI抗辐射54HC电路设计及制造[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2008. |
入库方式： OAI收割
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