铝阳极氧化高密度MCM-D基板及倒装焊点可靠性研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 朱大鹏 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2008 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 罗乐 |
| 关键词 | 铝阳极氧化MCM-D基板 Ta-N埋置电阻 电迁移 倒装芯片凸点 热循环可靠性 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 本文结合计算机、航空、航天和通讯等领域对电子系统封装小型化、高密度、高性能和高可靠性等方面的迫切要求，以铝阳极氧化高密度MCM-D基板为研究对象，从基板制备、无源电阻的埋置、基板电迁移性能和表贴倒装焊点可靠性等方面对铝阳极氧化基板进行了较为系统的研究。利用薄膜技术、光刻技术和阳极氧化技术，通过优化光刻掩模工艺，对沉积在微晶玻璃基板上的多层铝膜进行选择性阳极氧化，制备出4层布线的高密度铝阳极氧化MCM-D基板。铝膜作为基板导线和层间通孔，铝阳极氧化形成的多孔型氧化铝作为基板的介质材料。其中，基板布线最小线宽 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83046]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱大鹏. 铝阳极氧化高密度MCM-D基板及倒装焊点可靠性研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2008. |
入库方式： OAI收割
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