工艺导致的机械应力对深亚微米CMOS器件性能的影响
文献类型：学位论文
| 作者 | 李睿 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2008 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 邹世昌 |
| 关键词 | 机械应力 深亚微米CMOS |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 随着CMOS器件的不断微缩，硅有源区面积的缩小，工艺导致的机械应力对器件的影响越来越显著，许多工艺步骤会造成有源区应力的累积。应力不仅导致器件性能对版图产生依赖性，而且带来各种可靠性问题，影响芯片的长期使用寿命。在很多情况下，应力相关的问题直接影响芯片制造的良率。本文首先在总结各种应力来源的基础上，回顾了到目前为止人们所观察或理解的应力对CMOS器件性能和可靠性的各种影响。第二章讨论应力效应导致的器件性能对版图的依赖性。利用二维工艺模拟软件的计算结果作为应力的表征手段，仔细研究了STI工艺各个步骤对有源区 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83052]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李睿. 工艺导致的机械应力对深亚微米CMOS器件性能的影响[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2008. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。