熔融碱对GaN材料的湿法化学腐蚀研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 曹明霞 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2009 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 于广辉 |
| 关键词 | GaN 湿法化学腐蚀 位错 熔融KOH 熔融NaOH |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 近年来，GaN基半导体材料和器件取得了很大的进展，但是由于缺乏合适的衬底材料，限制了器件性能的进一步提高。分析GaN外延层中位错密度及类型是评估外延质量的一个重要方面。本论文围绕熔融碱对GaN材料的湿法化学腐蚀特性展开研究，分析了熔融KOH及熔融NaOH对MOCVD生长的GaN湿法化学腐蚀结果，通过与熔融KOH腐蚀结果的对比，重点分析了熔融NaOH的腐蚀特性。我们把熔融碱对MOCVD GaN腐蚀所得结论应用到HVPE厚膜GaN中，分析了采用图形化衬底对厚膜质量的改进效果，为质量评估及工艺改进提供了一种简便 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83056]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹明霞. 熔融碱对GaN材料的湿法化学腐蚀研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2009. |
入库方式： OAI收割
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