超辐射发光管台面制作工艺的改进及增透膜的优化设计
文献类型：学位论文
| 作者 | 唐道远 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2009 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 李晓良 |
| 关键词 | 超辐射发光管 多量子阱 台面 ICP 增透膜 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 超辐射发光二级管因其大输出功率、较宽光谱、短相干度等优良特性，广泛应用于光纤陀螺、光纤光栅传感器、光学层析成像系统、波分复用系统及光处理系统中。超辐射发光二级管的理论研究已经比较成熟，为了不断地提高其发光功率、增加光谱宽度等器件性能，人们对不同的材料、器件结构以及器件工艺的改进方面进行了研究。本论文根据1.3µm超辐射发光管的要求，在量子阱结构的设计中采用不同阱宽的多量子阱有源区结构，以期展宽器件的发光光谱；并在采用非泵浦吸收区器件结构的基础上，针对制作工艺中存在的问题，重点研究了InGaAs材料的ICP |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 页码 | 67 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83058]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 唐道远. 超辐射发光管台面制作工艺的改进及增透膜的优化设计[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2009. |
入库方式： OAI收割
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