富硅二氧化硅总剂量辐射效应及其机理初探
文献类型：学位论文
| 作者 | 陈明 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2009 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 张正选 |
| 关键词 | 离子注入 二氧化硅 总剂量效应 纳米晶体 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 二氧化硅是集成电路特别是MOS集成电路中广泛应用的关键介质，用于MOS器件的栅介质和器件之间的隔离。地球周围空间、核爆炸环境、加速器和核能装置中存在的大量高能粒子和射线会在二氧化硅内产生空穴积累，从而导致MOS器件阈值电压漂移、漏电流增大、跨导降低、载流子迁移率降低等一系列总剂量效应而使得MOS/CMOS集成电路的性能降低甚至完全失效。本论文通过硅离子注入对SIMOX方法制备的二氧化硅和干氧热氧化二氧化硅进行富硅改性。采用X射线光电子能谱、电子自旋共振、光致发光谱、透射电镜等手段，研究了富硅二氧化硅中的缺 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 页码 | 75 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83073]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈明. 富硅二氧化硅总剂量辐射效应及其机理初探[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2009. |
入库方式： OAI收割
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