SIMOX SOI材料红外光学以及电学性能研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 陈可炜 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2003 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 俞跃辉 |
| 关键词 | SOI 质量控制 原始注入的SIMOX SIS MOSOS 霍耳效应 深能级瞬态谱 导电原子力显微镜 |
| 学位专业 | 材料物理与化学 |
| 中文摘要 | 被誉为“21世纪的硅集成电路技术”的SOI技术，由于SOI独特的结构特性，而被广泛的应用在低压、低功耗电路、高温器件、抗辐照器件以及光电子集成器件等微电子领域。SIMOX作为SOI技术的两种主流技术之一，已经进入了商品化阶段。SIMOX的商品化标志着SOI技术已经进入了实际应用阶段。随着SIMOX商品化的发展和深入，其质量控制问题和材料性能表征问题就显得尤为重要。本论文针对SIMOX实际生产过程中出现的质量控制问题和材料性能表征问题，从解决生产实际问题的目的出发，对原始注入的SIMOX红外光学特征、SIM |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83086]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈可炜 . SIMOX SOI材料红外光学以及电学性能研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2003. |
入库方式： OAI收割
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