低剂量超薄SIMOX圆片制备技术的应用研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 王湘 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2003 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 王曦 ; 陈猛 |
| 关键词 | 绝缘体上的硅(SOI) 注氧隔离(SIMOX) 埋层(BOX) 退火 正电子湮没 |
| 学位专业 | 材料物理与化学 |
| 中文摘要 | 绝缘体上的硅(SOI)技术以其独特的结构在低压。低功耗电路，高温、抗辐照器件以及集成光电子器件方面有着广泛的应用。主氧隔离(SIMOX)技术是制备SOI材料最成功的技术之一。过去SIMOX制备SOI材料通常是采用高剂量高能量的注入方法，然而高剂量的SIMOX材料顶层Si的线位错密度过高，影响了它的应用。另外，由于过长的注入时间也导致了，生产成本攀高。这是SOI材料在微电子工业上大规模商业化应用的一个致命缺点。随着SIMOX技术的发展，人们发展了低剂量注入(通常剂量小于1.0×10~(18)ions／cm~ |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83090]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王湘 . 低剂量超薄SIMOX圆片制备技术的应用研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2003. |
入库方式： OAI收割
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